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全球首例使用单晶硅TFT的有机EL面板开发成功
来源:  作者:本站

三星开发的面板为240×320像素,亮度为350cd/m2,对比度为1万比1。像素间隔为51μm×153μm,像素电路由2个TFT和1个电容器组成。TFT的载流子迁移率为p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs,与其它有机EL用TFT相比,非常高。目前,该公司还在利用此次开发的制造方法试制1.9英寸TFT液晶面板。

图1:开发的单晶硅和有机EL面板的规格 图2:单晶硅膜转印方法 图3:TFT特性

在此之前,单晶硅TFT的使用尚无先例,其原因是单晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困难。在此次开发中,三星使用了美国康宁(Corning)开发的向玻璃底板转印单晶硅的技术“SiOG”。该技术首先要向单晶硅晶圆表面之下较浅的部位注入氢离子。然后把晶圆粘贴到康宁制造的“EAGLE”玻璃底板上,在从粘贴后的底板的内外两侧施加电压的同时进行热处理。这样,在氢离子转变为氢分子的同时,进行了离子注入的部分的结晶会受到损伤,取下晶圆时,单晶硅膜能够残留在晶圆表面。三星表示,“用粘贴方式制造的TFT粘着性良好,可靠性方面也无需担心”。另外,此次的方法还可用于大型面板用底板,应用范围最少可涵盖至第4代底板。


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